平成23年度秋期 応用情報技術者試験 午前 問23
LSIの故障メカニズムの一つであるESD(Electrostatic Discharge)破壊の説明として,適切なものはどれか。
- ア 機械的な力によって,配線が切断されてしまう現象
- イ 寄生サイリスタの導通によって,半導体素子が破壊されてしまう現象
- ウ 静電気放電によって,半導体素子が破壊されてしまう現象
- エ 電流が過度に流れることによって,配線が切断されてしまう現象
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正解:ウ
AI解説
ESD(Electrostatic Discharge)は静電気放電のことで、帯電した人体や機器からLSIの端子に高電圧の静電気が放電し、内部の半導体素子(酸化膜など)が破壊される故障メカニズムである。したがってウが正解である。取扱い時のリストストラップ装着や導電性マットは、この対策である。 ア: 機械的な力による配線切断は、応力・振動などによる機械的故障の説明であり、ESDとは無関係である。 イ: 寄生サイリスタが導通して素子が破壊される現象は、ラッチアップの説明である。CMOS特有の故障モードである。 ウ: 正しい。Electrostatic Discharge=静電気放電による半導体素子の破壊がESD破壊である。 エ: 過大電流による配線の断線は、エレクトロマイグレーションなど電流起因の配線劣化・溶断の説明であり、ESDではない。 💡 英略語を直訳すれば解ける問題。Electro-static(静電気)+Discharge(放電)。誤答肢のラッチアップ(寄生サイリスタ)も別問題で問われるので対で覚えておく。
出典:平成23年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問23 / 独立行政法人情報処理推進機構(IPA)
※Web掲載用に表記を一部変更しています。著作権はIPAに帰属します。
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