平成28年度秋期 応用情報技術者試験 午前 問21

正解：エ

AI解説

正解はエ。フラッシュメモリは、電気的にデータの書込み・消去ができる不揮発性メモリ(EEPROMの一種)で、消去はビット単位ではなくブロック単位で行うのが特徴である。電源を切っても内容が保持されるため、USBメモリやSSDに広く使われる。 ア: 誤り。CPUのキャッシュメモリに用いられる高速メモリはSRAMである。フラッシュメモリは書換え速度が遅く、書換え回数にも上限がある。 イ: 誤り。紫外線で全内容を消去するのはEPROM(UV-EPROM)の説明である。フラッシュメモリは電気的に消去する。 ウ: 誤り。周期的なデータの再書込み(リフレッシュ)が必要なのはDRAMの説明である。フラッシュメモリは不揮発性でリフレッシュ不要である。 エ: 正解。フラッシュメモリはブロック単位で電気的に一括消去し、書き込むことができる。この「ブロック単位消去」が名称の由来でもある。 💡 メモリの対比で覚える:SRAM=キャッシュ・高速、DRAM=主記憶・要リフレッシュ、EPROM=紫外線消去、フラッシュ=電気的ブロック消去・不揮発。誤答肢はすべて別種のメモリの説明という定番パターンである。