平成30年度秋期 応用情報技術者試験 午前 問10

正解：イ

AI解説

相変化メモリ(PRAM/PCM)は、カルコゲナイド系材料が結晶状態と非結晶(アモルファス)状態とで電気抵抗が異なることを利用して情報を記憶する不揮発性メモリである。電源を切ってもデータが保持され、書換えも可能である。よってイが正しい。 ア: 一度だけ書込み可能な不揮発性メモリはPROM(OTP ROM)の説明であり、相変化メモリは繰り返し書換えができる。 イ: 正しい。結晶/非結晶の状態変化(相変化)による抵抗差で0と1を記憶するのが相変化メモリである。 ウ: フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリはSRAMの説明であり、キャッシュメモリに使われる。 エ: リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリはDRAMの説明であり、主記憶に使われる。 💡 メモリ問題は「揮発/不揮発」でまず二分する。SRAM=フリップフロップ、DRAM=リフレッシュ必要、フラッシュ=ブロック消去、相変化=結晶と非結晶、と特徴語で一対一対応させて覚える。