平成30年度春期 応用情報技術者試験 午前 問10

正解：エ

AI解説

IPA公式解答例による正解は「エ」。NAND型フラッシュメモリは、複数のメモリセルをまとめたページという単位で書込み・読出しを行う。バイト単位のランダムアクセスはできない代わりに集積度が高く大容量化しやすいため、SSDやUSBメモリ、メモリカードに広く使われている。なお消去はページより大きいブロック単位で行う。 ア: 誤り。NAND型はバイト単位の書込みはできない。書込みも読出しもページ単位である。 イ: 誤り。バイト単位で書込み・読出しができるという特徴は、NAND型ではなくNOR型フラッシュメモリに近い(NOR型はランダム読出しが可能)。 ウ: 誤り。読出しもページ単位であり、バイト単位の読出しはできない。 エ: 正しい。NAND型フラッシュメモリは書込み・読出しともにページ単位で行う。 💡 「NAND=大容量・ページ単位・データ保存向き(SSD)」「NOR=ランダムアクセス可・プログラム格納向き」と対で覚える。消去だけはブロック単位、という点も選択肢化されやすい。