令和4年度秋期 応用情報技術者試験 午前 問22

正解：エ

AI解説

フラッシュメモリは書換え時に、対象ブロックのデータを一旦消去(イレース)してから新しいデータを書き込むという特性(消去してから書き込む)をもつ不揮発性メモリである。 ア: フラッシュメモリの書込み回数には上限(寿命)があり、無制限に書き込めるわけではない。 イ: フラッシュメモリは回路基板に実装したままオンボードで書込み・消去が可能であり、専用のROMライターで外して書き込む必要はない(EEPROM由来の電気的書換え可能メモリである)。 ウ: 定期的なリフレッシュ動作が必要でデータが失われるのはDRAMの特性であり、フラッシュメモリ(不揮発性メモリ)は電源を切ってもデータを保持する。 エ: データの書換え時にあらかじめ前のデータを消去してから書込みを行うという特性が、フラッシュメモリの動作を正しく表している。 💡 「フラッシュメモリは消してから書く(erase-then-write)」という制約が、書換え速度や寿命に影響する重要な特徴として頻出する。