令和4年度春期 応用情報技術者試験 午前 問23
マイクロプロセッサの耐タンパ性を向上させる手法として,適切なものはどれか。
- ア ESD(Electrostatic Discharge)に対する耐性を強化する。
- イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておく。
- ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると,内部回路が破壊されるようにする。
- エ 内部メモリの物理アドレスを整然と配置する。
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正解:ウ
AI解説
耐タンパ性とは、ICチップなどの内部構造や秘密情報を外部から解析・改ざんされにくくする性質のことであり、物理的解析を試みると内部回路が自己破壊される仕組みはその代表的な実現手法である。 ア: ESD耐性の強化は静電気による電気的破壊を防ぐ対策であり、内部構造の解析防止(耐タンパ性)とは直接関係しない。 イ: 検査用パッドを残すことは、むしろ外部からの内部信号への直接アクセスを容易にし、解析を助けてしまうため耐タンパ性向上には逆効果である。 ウ: 正しい。物理的解析を試みると内部回路が破壊される仕組みは、チップ内部の秘密情報を保護する耐タンパ性向上の代表的な手法である。 エ: 内部メモリの物理アドレスを整然と配置することは可読性・保守性には寄与するが、解析されにくくする耐タンパ性の向上にはつながらない。 💡 耐タンパ性向上策としては「解析を試みると壊れる・検出すると内容を消去する」といった、解析行為自体を無力化する自己防御機構がキーワードになる。
出典:令和4年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問23 / 独立行政法人情報処理推進機構(IPA)
※Web掲載用に表記を一部変更しています。著作権はIPAに帰属します。
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