令和5年度秋期 応用情報技術者試験 午前 問21

正解：ウ

AI解説

MOSトランジスタ(MOSFET)は、金属(Metal)、酸化物絶縁体(Oxide)、半導体(Semiconductor)を積層した構造をもつ電界効果トランジスタであり、ゲート電極への電圧でチャネルの導通を制御する半導体素子である。 ア: pn接合部での電子と正孔の再結合により光を放出する性質を利用した素子はLED(発光ダイオード)の説明であり、MOSトランジスタとは異なる。 イ: pn接合部に光が当たると電流が発生する性質を利用した素子はフォトダイオードの説明であり、MOSトランジスタとは異なる。 ウ: 金属と半導体の間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつという記述が、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)構造そのものを表しており、MOSトランジスタの説明として正解である。 エ: 逆方向電圧がある値を超えると電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれる特性をもつ素子はツェナーダイオード(定電圧ダイオード)の説明であり、MOSトランジスタとは異なる。 💡 「MOS」の頭文字(Metal-Oxide-Semiconductor)がそのまま構造の説明になっている点を覚えておくと、他のダイオード類との判別がしやすい。