令和5年度春期 応用情報技術者試験 午前 問11

正解：ア

AI解説

ウェアレベリングはフラッシュメモリの書換え回数に上限があることに対応するため、特定のブロックに書込みが集中しないように、各ブロックの書込み回数が均等になるよう物理的な書込み位置を分散させる技術である。 ア: 正解。各ブロックの書込み回数を均等化するように書込み位置を選択する、まさにウェアレベリングの定義である。 イ: 記憶するセルの電子量に応じて複数ビットを記録する技術は、マルチレベルセル(MLC)方式などの説明であり、ウェアレベリングとは異なる。 ウ: 不良ブロックの検出・交換はバッドブロックマネジメントの説明であり、ウェアレベリングとは別の技術である。 エ: ブロック単位でのデータ消去・書込みはNAND型フラッシュメモリの基本動作の説明であり、ウェアレベリングそのものではない。 💡 フラッシュメモリ関連技術は「ウェアレベリング(書込み回数の均等化)」「バッドブロック管理(不良ブロック交換)」「ガベージコレクション(不要領域の再利用)」を区別して覚える。